Verfahren zur Herstellung einer Ta2O5 Enthaltenden Schicht
EP1595005
Art A1
16. November 2005
Anmelder: Micron Technology, Inc., MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1595005
- Aktenzeichen
- EP04707748
- Anmeldetag
- 3. Februar 2004
- Veröffentlichung
- 16. November 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C23C16/40C23C16/455
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Micron Technology, Inc.
MICRON TECHNOLOGY, INC. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Vertreten von
Hackett, Sean James
Birmingham, Großbritannien
646
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22
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