Laserbestrahlungsmethode, Laserbestrahlungsvorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer kristallinen Halbleiter-Schicht
EP1596241
Art B1
21. Oktober 2009
Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd., SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1596241
- Aktenzeichen
- EP05008796
- Anmeldetag
- 21. April 2005
- Veröffentlichung
- 21. Oktober 2009
- Erteilung
- 21. Oktober 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G02B27/09B23K26/073
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Semiconductor Energy Laboratory
Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.
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