Integrierte Halbleiterschaltung mit einem Transistor mit Seitlich Versetzten Source- und Drain-Elektroden

EP1597767 Art A2 23. November 2005

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1597767
Aktenzeichen: EP04715877
Anmeldetag: 1. März 2004
Veröffentlichung: 23. November 2005
Rechtsraum: EP
IPC: H01L27/112H01L27/115H01L21/8246H01L21/8247

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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