Verfahren zur Verbesserung der Profilregelung und N/p-Beladung in Doppelt Dotierten Gate-Anwendungen
EP1599894
Art A2
30. November 2005
Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1599894
- Aktenzeichen
- EP04715154
- Anmeldetag
- 26. Februar 2004
- Veröffentlichung
- 30. November 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/302
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- LAM RESEARCH CORPORATION
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lam Research
US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.
2.725 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Wombwell, Francis
Birkenhead, Großbritannien
789
Patente gesamt
31
Fachgebiete
18
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Thomson, Paul Anthony
NoneBirkenhead