Verfahren zur Strukturierung von Photoresist auf einem Wafer unter Verwendung einer Reflexionsmaske mit einem Mehrschichtigen Bogen
EP1602007
Art A2
7. Dezember 2005
Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1602007
- Aktenzeichen
- EP04711211
- Anmeldetag
- 13. Februar 2004
- Veröffentlichung
- 7. Dezember 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G03G9/083G21K5/00G03F9/00G06K9/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Freescale Semiconductor, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
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Vertreten von
Wray, Antony John
Basingstoke, Großbritannien
604
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