Feldeffekttransistor mit Spinabhängiger Übertragungseigenschaft mit Halbmetallischem Source und Drain
EP1603168
Art B1
11. Januar 2017
Anmelder: Japan Science and Technology Agency 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1603168
- Aktenzeichen
- EP04704734
- Anmeldetag
- 23. Januar 2004
- Veröffentlichung
- 11. Januar 2017
- Erteilung
- 11. Januar 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/66H01L29/47H01L29/82G11C11/16H01L43/08H01L27/22
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Japan Science and Technology Agency
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Japan Science and Technology Agency
Japanische staatliche Förderorganisation für Wissenschaft und Technologie, die Forschungsprojekte finanziert und den Technologietransfer zwischen Universitäten und Industrie unterstützt. Die Behörde untersteht dem japanischen Bildungsministerium.
2.090 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Schultes, Stephan
London, Großbritannien
235
Patente gesamt
21
Fachgebiete
4
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Hitching, Peter Matthew
Canon Europe Ltd · Uxbridge