Verfahren zum Strukturieren von Photoresist auf einem Wafer unter Verwendung einer Gedämpften Phasenverschiebungsmaske
EP1604247
Art A2
14. Dezember 2005
Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1604247
- Aktenzeichen
- EP04711228
- Anmeldetag
- 13. Februar 2004
- Veröffentlichung
- 14. Dezember 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G03F9/00G21K5/00G03G16/00G03C5/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Freescale Semiconductor, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
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Wray, Antony John
Basingstoke, Großbritannien
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