Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung und Aufrechterhaltung einer Gewünschten Leselatenz in Schnellem Dram

EP1604370 Art B1 13. November 2013

Anmelder: Round Rock Research, LLC, MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1604370
Aktenzeichen
EP04757495
Anmeldetag
16. März 2004
Veröffentlichung
13. November 2013
Erteilung
13. November 2013
Rechtsraum
EP
IPC
G11C7/10G11C7/22
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
Round Rock Research, LLC
MICRON TECHNOLOGY, INC.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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