Halbleiteraufbau mit Hoch Dotiertem Kanalleitungsgebiet und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiteraufbaus
EP1604404
Art B1
22. Juni 2011
Anmelder: Infineon Technologies AG, SiCED Electronics Development GmbH & Co KG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1604404
- Aktenzeichen
- EP03718625
- Anmeldetag
- 19. März 2003
- Veröffentlichung
- 22. Juni 2011
- Erteilung
- 22. Juni 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/24H01L29/78H01L29/808H01L29/812H01L29/732H01L29/10H01L21/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Infineon Technologies AG
SiCED Electronics Development GmbH & Co KG - Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
4.872 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Bickel, Michael
München, Deutschland
159
Patente gesamt
24
Fachgebiete
6
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Maier, Daniel Oliver
Siemens AG · München
-
Berg, Peter
NoneMünchen