Verfahren zur Herstellung einer kristallinen Siliziumschicht
EP1605499
Art A3
2. Dezember 2009
Anmelder: IMEC, Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum 🇧🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1605499
- Aktenzeichen
- EP05447132
- Anmeldetag
- 7. Juni 2005
- Veröffentlichung
- 2. Dezember 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/20H01L31/18
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- IMEC
Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum - Land
- 🇧🇪 Belgien
🇧🇪
imec
Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.
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Bird, William Edward
Heverlee, Belgien
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