Verfahren zur Herstellung von Substraten oder Bauelementen auf Substraten mittels Übertragung einer Nützlichen Schicht für Mikroelektronik, Optoelektronik oder Optik.
EP1606839
Art A2
21. Dezember 2005
Anmelder: Soitec, S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1606839
- Aktenzeichen
- EP04720118
- Anmeldetag
- 12. März 2004
- Veröffentlichung
- 21. Dezember 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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Regimbeau
Regimbeau · Rennes