Gate-Ventil für ein Halbleiterbehandlungssystem und Vakuumbehälter
EP1608002
Art B1
1. August 2012
Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1608002
- Aktenzeichen
- EP04715563
- Anmeldetag
- 27. Februar 2004
- Veröffentlichung
- 1. August 2012
- Erteilung
- 1. August 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/67// F16K3/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- TOKYO ELECTRON LIMITED
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tokyo Electron
Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.
6.253 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Grosse, Rainer
Stuttgart, Deutschland
405
Patente gesamt
31
Fachgebiete
14
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Schwerpunkte