Verfahren zur Bildung einer Planarisierten Cu-Verbindungsschicht unter Verwendung einer Stromlosen Ablagerung mittels Membran
EP1609181
Art B1
3. Oktober 2012
Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1609181
- Aktenzeichen
- EP04758249
- Anmeldetag
- 23. März 2004
- Veröffentlichung
- 3. Oktober 2012
- Erteilung
- 3. Oktober 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/768H01L21/288
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- LAM RESEARCH CORPORATION
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lam Research
US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.
2.725 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kontrus, Gerhard
Villach, Österreich
229
Patente gesamt
16
Fachgebiete
3
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Käck, Jürgen
NoneLandsberg am Lech