Verfahren zur Epitaktischen Abscheidung einer N-Dotierten Siliziumschicht
EP1611602
Art A1
4. Januar 2006
Anmelder: NXP B.V., IMEC, Koninklijke Philips Electronics, N.V., INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM VZW 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1611602
- Aktenzeichen
- EP04723286
- Anmeldetag
- 25. März 2004
- Veröffentlichung
- 4. Januar 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/20C30B29/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NXP B.V.
IMEC
Koninklijke Philips Electronics, N.V.
INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM VZW - Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.818 Patente in unserer Datenbank
🇳🇱
Philips
Niederländisches Technologieunternehmen mit Sitz in Amsterdam, spezialisiert auf Medizintechnik, Diagnosegeräte, Patientenüberwachung sowie Gesundheits- und Wellnessprodukte.
43.499 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Crawford, Andrew
Nijmegen, Niederlande
618
Patente gesamt
20
Fachgebiete
6
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Williamson, Paul Lewis
NoneEindhoven
-
White, Andrew Gordon
NoneEindhoven
-
Eleveld, Koop Jan
NoneEindhoven