Verfahren zur Epitaktischen Abscheidung einer N-Dotierten Siliziumschicht
Anmelder: NXP B.V., IMEC, Koninklijke Philips Electronics, N.V., INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM VZW 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1611602
- Aktenzeichen
- EP04723286
- Anmeldetag
- 25. März 2004
- Veröffentlichung
- 4. Januar 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/20C30B29/06
Abstract
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Anmelder
- Firmen
- NXP B.V.
IMEC
Koninklijke Philips Electronics, N.V.
INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM VZW - Land
- 🇳🇱 Niederlande
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