Verfahren zur Herstellung von Doppelmetall-Gate-Bauelementen
EP1611612
Art A2
4. Januar 2006
Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1611612
- Aktenzeichen
- EP04711210
- Anmeldetag
- 13. Februar 2004
- Veröffentlichung
- 4. Januar 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8238
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Freescale Semiconductor, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
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Vertreten von
Wray, Antony John
Basingstoke, Großbritannien
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