Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements

EP1611613 Art B2 16. Januar 2019

Anmelder: Infineon Technologies AG, eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1611613
Aktenzeichen
EP04724012
Anmeldetag
29. März 2004
Veröffentlichung
16. Januar 2019
Erteilung
16. Januar 2019
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/32
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
Infineon Technologies AG
eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH
Land
🇩🇪 Deutschland
🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

4.872 Patente in unserer Datenbank

Weitere Vertreter

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen