Bipolar-Transistor

EP1611616 Art B1 5. Mai 2010

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1611616
Aktenzeichen
EP04722857
Anmeldetag
24. März 2004
Veröffentlichung
5. Mai 2010
Erteilung
5. Mai 2010
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/737H01L29/08
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Infineon Technologies AG
Land
🇩🇪 Deutschland
🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

4.942 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen