Durch einen Modifizierten Cmos-Prozess Hergestellter, durch Strahlung Gehärteter Transistor
EP1614162
Art A2
11. Januar 2006
Anmelder: RAYTHEON COMPANY 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1614162
- Aktenzeichen
- EP04759937
- Anmeldetag
- 16. April 2004
- Veröffentlichung
- 11. Januar 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- RAYTHEON COMPANY
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Raytheon Company
US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.
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Lindner, Michael
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