Bipolartransistor und Verfahren zur Herstellung Desselben
EP1616355
Art B1
9. Juli 2008
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1616355
- Aktenzeichen
- EP04721910
- Anmeldetag
- 19. März 2004
- Veröffentlichung
- 9. Juli 2008
- Erteilung
- 9. Juli 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/417H01L29/08H01L29/732
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
4.872 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Karl, Frank
Baldham, Deutschland
119
Patente gesamt
20
Fachgebiete
10
Anmelder-Länder
Schwerpunkte