Siliciumhaltiger Film, Verfahren zu dessen Herstellung, Zusammensetzung zur Herstellung einer Isolierschicht für Halbleiter, Verbindungsstruktur und Halbleiterelement

EP1619226 Art A1 25. Januar 2006

Anmelder: JSR Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1619226
Aktenzeichen
EP05015904
Anmeldetag
21. Juli 2005
Veröffentlichung
25. Januar 2006
Rechtsraum
EP
IPC
C09D183/10C09D4/00C08F292/00H01L21/027G03F7/027
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
JSR Corporation
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 JSR Corporation

JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.

1.781 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen