Einkristallines Substrat aus Nitrid-Halbleiter und Verfahren zu seiner Herstellung
EP1624095
Art A3
1. April 2009
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1624095
- Aktenzeichen
- EP05016895
- Anmeldetag
- 3. August 2005
- Veröffentlichung
- 1. April 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B29/40C30B25/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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