Feldeffekttransistor mit Isolator-Halbleiter-Übergangsmaterialschicht als Kanalmaterial und Herstellungsverfahren dafür
EP1625625
Art A1
15. Februar 2006
Anmelder: Electronics and Telecommunications Research Institute, ELECTRONICS AND TELECOMMUNICATIONS RESEARCH INSTITUTE 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1625625
- Aktenzeichen
- EP03781053
- Anmeldetag
- 30. Dezember 2003
- Veröffentlichung
- 15. Februar 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L49/00H01L29/772
Abstract
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Anmelder
- Firmen
- Electronics and Telecommunications Research Institute
ELECTRONICS AND TELECOMMUNICATIONS RESEARCH INSTITUTE - Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
ETRI (Electronics and Telecommunications Research Institute)
Südkoreanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Daejeon. Forscht in Telekommunikation, Halbleitertechnik, künstlicher Intelligenz, Rundfunktechnik und Informations- und Kommunikationstechnologien.
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Vertreten von
Powell, Timothy John
Nottingham, Großbritannien
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