Ic-Gehäuse mit Flexiblem Substrat
EP1627430
Art B1
1. Oktober 2008
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1627430
- Aktenzeichen
- EP03736426
- Anmeldetag
- 28. Mai 2003
- Veröffentlichung
- 1. Oktober 2008
- Erteilung
- 1. Oktober 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L25/065H01L23/36H05K7/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Kanzlei
Reddie & Grose LLP
Reddie & Grose wurde 1907 gegründet und ist neben London und Cambridge auch in München und Den Haag vertreten. Sie gilt laut Fachpresse als besonders versiert im Umgang mit komplexen technischen Fragestellungen vor EPA und UPC.
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