Verfahren zur Wärmevorbehandlung zweier zu Bondender Scheiben.

EP1628339 Art A1 22. Februar 2006

Anmelder: Soitec, S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1628339
Aktenzeichen
EP05291636
Anmeldetag
1. August 2005
Veröffentlichung
22. Februar 2006
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/762
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
Soitec
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
Land
🇫🇷 Frankreich
🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

801 Patente in unserer Datenbank

🇫🇷 S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies

S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies war ein französischer Hersteller von Silizium-auf-Isolator-Wafern für die Halbleiterindustrie, das heutige Unternehmen firmiert als Soitec. Der Patentbestand konzentriert sich fast ausschließlich auf Halbleiterbauelemente und Waferbondverfahren.

323 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen