Substrat für Verspannte Systeme und Verfahren des Kristallwachstums auf einem Solchen Substrat
EP1629526
Art A1
1. März 2006
Anmelder: Soitec, S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1629526
- Aktenzeichen
- EP04767192
- Anmeldetag
- 27. Mai 2004
- Veröffentlichung
- 1. März 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/20H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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Vertreten von
Desormiere, Pierre-Louis
Paris, Frankreich
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