Speicherschaltung mit Spannungsversorgungsnachgebiegkeit und einer an Spannunasversorgung Angepassten Leistung
EP1630815
Art B1
5. Oktober 2011
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1630815
- Aktenzeichen
- EP04020080
- Anmeldetag
- 24. August 2004
- Veröffentlichung
- 5. Oktober 2011
- Erteilung
- 5. Oktober 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C7/22G11C7/06G11C7/14G11C7/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Graf Lambsdorff, Matthias
München, Deutschland
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