Verfahren zur Herstellung eines monolithisch integrierten vertikalen Halbleiterbauteils in einem SOI-Substrat
EP1630863
Art B1
14. Mai 2014
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1630863
- Aktenzeichen
- EP04020674
- Anmeldetag
- 31. August 2004
- Veröffentlichung
- 14. Mai 2014
- Erteilung
- 14. Mai 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/20H01L21/84H01L21/8249H01L29/66H01L27/06H01L27/12H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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