Speicherbauelement (CBRAM) mit Speicherzellen auf der Basis eines in seinem Widerstandswert änderbaren aktiven Festkörper-Elektrolytmaterials und Herstellungsverfahren dafür
EP1630880
Art A3
15. August 2007
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1630880
- Aktenzeichen
- EP05107162
- Anmeldetag
- 3. August 2005
- Veröffentlichung
- 15. August 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L45/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Vertreten von
Kottmann, Heinz Dieter
München, Deutschland
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