Verfahren zur Herstellung eines Substrats mit einer Porösen Dielektrischen Schicht und Luftlücken und Substrat
EP1631985
Art A1
8. März 2006
Anmelder: NXP B.V., Koninklijke Philips Electronics, N.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1631985
- Aktenzeichen
- EP04744338
- Anmeldetag
- 17. Mai 2004
- Veröffentlichung
- 8. März 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/768H01L23/522
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NXP B.V.
Koninklijke Philips Electronics, N.V. - Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.818 Patente in unserer Datenbank
🇳🇱
Philips
Niederländisches Technologieunternehmen mit Sitz in Amsterdam, spezialisiert auf Medizintechnik, Diagnosegeräte, Patientenüberwachung sowie Gesundheits- und Wellnessprodukte.
43.499 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
van der Veer, Johannis Leendert
Eindhoven, Niederlande
1.997
Patente gesamt
25
Fachgebiete
18
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Pennings, Johannes
NoneEindhoven
-
Eleveld, Koop Jan
NoneEindhoven