Verfahren zur Herstellung eines epitaktischen Substrats

EP1631986 Art B1 10. August 2011

Anmelder: Soitec, S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies S.A. 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1631986
Aktenzeichen: EP04739271
Anmeldetag: 19. Mai 2004
Veröffentlichung: 10. August 2011
Erteilung: 10. August 2011
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/78H01L21/20C23C16/44C23C14/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Soitec
S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies S.A.
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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