Durchbruchsdiode und Verfahren zu deren Herstellung
EP1631991
Art A1
8. März 2006
Anmelder: NXP B.V., Philips Intellectual Property & Standards GmbH, Koninklijke Philips Electronics N.V., Koninklijke Philips Electronics, N.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1631991
- Aktenzeichen
- EP04734717
- Anmeldetag
- 25. Mai 2004
- Veröffentlichung
- 8. März 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/872
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NXP B.V.
Philips Intellectual Property & Standards GmbH
Koninklijke Philips Electronics N.V.
Koninklijke Philips Electronics, N.V. - Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.818 Patente in unserer Datenbank
🇳🇱
Philips
Niederländisches Technologieunternehmen mit Sitz in Amsterdam, spezialisiert auf Medizintechnik, Diagnosegeräte, Patientenüberwachung sowie Gesundheits- und Wellnessprodukte.
43.499 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Weitere Vertreter
-
Volmer, Georg
NoneAachen