Verfahren zur Verbesserung der Oberflächenrauhigkeit von Verarbeitetem Film aus Substrat und Vorrichtung zum Verarbeiten eines Substrats

EP1632992 Art A1 8. März 2006

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1632992
Aktenzeichen: EP04745451
Anmeldetag: 31. Mai 2004
Veröffentlichung: 8. März 2006
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/027G03F7/40H01L21/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TOKYO ELECTRON LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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