Prozess zur Herstellung eines Halbleiterbauelements und zur Erzeugung von Maskenstrukturdaten

EP1635217 Art A1 15. März 2006

Anmelder: Renesas Technology Corp. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1635217
Aktenzeichen
EP04807522
Anmeldetag
22. Dezember 2004
Veröffentlichung
15. März 2006
Rechtsraum
EP
IPC
G03F1/08H01L21/027G03F7/20
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Renesas Technology Corp.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Renesas Technology

Renesas Technology war ein japanischer Halbleiterhersteller und Vorgängerunternehmen der heutigen Renesas Electronics. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Software, ergänzt um Datenspeicher- und Schaltungstechnik. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2009.

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