Prozess zur Herstellung eines Halbleiterbauelements und zur Erzeugung von Maskenstrukturdaten
EP1635217
Art A1
15. März 2006
Anmelder: Renesas Technology Corp. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1635217
- Aktenzeichen
- EP04807522
- Anmeldetag
- 22. Dezember 2004
- Veröffentlichung
- 15. März 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G03F1/08H01L21/027G03F7/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Renesas Technology Corp.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Renesas Technology
Renesas Technology war ein japanischer Halbleiterhersteller und Vorgängerunternehmen der heutigen Renesas Electronics. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Software, ergänzt um Datenspeicher- und Schaltungstechnik. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2009.
421 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Oser, Andreas
München, Deutschland
153
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Fachgebiete
9
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