Substrat zum epitaktischen Wachstum einer Verbindungshalbleitervorrichtung, Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren

EP1635383 Art B1 3. April 2013

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha, SHARP KABUSHIKI KAISHA 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1635383
Aktenzeichen: EP05019490
Anmeldetag: 7. September 2005
Veröffentlichung: 3. April 2013
Erteilung: 3. April 2013
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/02H01L31/18C30B25/18H01L21/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Sharp Kabushiki Kaisha
SHARP KABUSHIKI KAISHA
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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