Verbindung zur Bildung einer Selbstorganisierenden Monolage, Schichtstruktur, Halbleiterbauelement mit einer Schichtstruktur und Verfahren zur Herstellung einer Schichtstruktur
EP1636826
Art B1
10. September 2008
Anmelder: Qimonda AG, Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1636826
- Aktenzeichen
- EP04738767
- Anmeldetag
- 18. Juni 2004
- Veröffentlichung
- 10. September 2008
- Erteilung
- 10. September 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Qimonda AG
Infineon Technologies AG - Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Gross, Felix
Berlin, Deutschland
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