Einfach- und Doppel-Gate Mosfet in Verspanntem Silizium auf Isolator und Verfahren zu deren Herstellung
EP1636830
Art A2
22. März 2006
Anmelder: International Business Machines Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1636830
- Aktenzeichen
- EP04754747
- Anmeldetag
- 8. Juni 2004
- Veröffentlichung
- 22. März 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/20H01L21/762H01L29/786H01L27/092
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- International Business Machines Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
IBM
US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.
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Vertreten von
Williams, Julian David
Rüschlikon, Schweiz
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