MOS Transistor mit verformbaren Gate
EP1637498
Art B1
30. Mai 2007
Anmelder: STMICROELECTRONICS S.A., COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE, ST MICROELECTRONICS S.A. 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1637498
- Aktenzeichen
- EP05108509
- Anmeldetag
- 15. September 2005
- Veröffentlichung
- 30. Mai 2007
- Erteilung
- 30. Mai 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- B81B7/02B81B3/00B81C1/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- STMICROELECTRONICS S.A.
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
ST MICROELECTRONICS S.A. - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇨🇭
STMicroelectronics International
Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.
3.785 Patente in unserer Datenbank
🇫🇷
CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)
Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
5.929 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
de Beaumont, Michel
Grenoble, Frankreich
1.230
Patente gesamt
32
Fachgebiete
18
Anmelder-Länder
Schwerpunkte