Herstellungsverfahren für einen Silizium-Epitaxial-Wafer und Silizium-Epitaxial-Wafer
EP1638136
Art A1
22. März 2006
Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd., Shin-Etsu Handotai Co., Ltd., Shin-Etsu Handotai Co., Ltd 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1638136
- Aktenzeichen
- EP04745765
- Anmeldetag
- 10. Juni 2004
- Veröffentlichung
- 22. März 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/205H01L29/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Fuji Electric Co., Ltd.
Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
Shin-Etsu Handotai Co., Ltd - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Fuji Electric
Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.
1.450 Patente in unserer Datenbank
🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
1.022 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Branderhorst, Matthijs Pieter Arie
Oxford, Großbritannien
350
Patente gesamt
28
Fachgebiete
10
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Asquith, Julian Peter
NoneOxford
-
Harding, Richard Patrick
NoneOxford