Verfahren zur Herstellung eines Feldefekttransistors mit isoliertem Gatter und Heterostruktur-Kanal
EP1638149
Art B1
23. November 2011
Anmelder: STMicroelectronics (Crolles 2) SAS, Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives, COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1638149
- Aktenzeichen
- EP05291905
- Anmeldetag
- 14. September 2005
- Veröffentlichung
- 23. November 2011
- Erteilung
- 23. November 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L21/336H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- STMicroelectronics (Crolles 2) SAS
Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)
Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
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Fachgebiete
Vertreten von
Zapalowicz, Francis
München, Deutschland
267
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8
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