Verbessertes Erhitzungsverfahren zur Stabilisation
EP1639633
Art A2
29. März 2006
Anmelder: Soitec, S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1639633
- Aktenzeichen
- EP04767314
- Anmeldetag
- 10. Juni 2004
- Veröffentlichung
- 29. März 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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Vertreten von
Callon de Lamarck, Jean-Robert
Paris, Frankreich
593
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Regimbeau
Regimbeau · Rennes