Vorrichtung und Verfahren für einen Aufgeteilten Transistorspeicher mit Verbesserter Belastungsfähigkeit
EP1639646
Art A2
29. März 2006
Anmelder: Micron Technology, Inc., MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1639646
- Aktenzeichen
- EP04756458
- Anmeldetag
- 29. Juni 2004
- Veröffentlichung
- 29. März 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/115H01L21/8247
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Micron Technology, Inc.
MICRON TECHNOLOGY, INC. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Vertreten von
Joly, Jean-Jacques
Paris, Frankreich
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