Verfahren zum Aufwachsen von Einkristallinem Gan auf Silizium
EP1642327
Art A2
5. April 2006
Anmelder: Honeywell International Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1642327
- Aktenzeichen
- EP04749836
- Anmeldetag
- 7. April 2004
- Veröffentlichung
- 5. April 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/205C30B25/02C30B29/40C30B25/18
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Honeywell International Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Honeywell
US-amerikanischer Mischkonzern mit Schwerpunkten in Luft- und Raumfahrttechnik, Automatisierungslösungen, Gebäudetechnik sowie Spezialchemikalien und -materialien für Industrie- und Verteidigungskunden.
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Vertreten von
Hucker, Charlotte Jane
London, Großbritannien
1.539
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