Transistorbauelement mit Hoher Elektronenbeweglichkeit und Verteiltem Kanal
EP1642342
Art A1
5. April 2006
Anmelder: RAYTHEON COMPANY 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1642342
- Aktenzeichen
- EP04753207
- Anmeldetag
- 25. Mai 2004
- Veröffentlichung
- 5. April 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/778
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- RAYTHEON COMPANY
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Raytheon Company
US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.
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Vertreten von
Jackson, David Spence
London, Großbritannien
226
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25
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9
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