Geneigte Ablagerung zur Verursachung einer Magnetischen Anisotropie für Mram-Zellen
EP1642343
Art A1
5. April 2006
Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1642343
- Aktenzeichen
- EP04776982
- Anmeldetag
- 22. Juni 2004
- Veröffentlichung
- 5. April 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/82H01L43/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Freescale Semiconductor, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
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Vertreten von
Wray, Antony John
Basingstoke, Großbritannien
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Ferro, Frodo Nunes
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