Reibungsarmes Kupferoxiddünnschichtmaterial und Filmbildungsverfahren dafür
EP1642997
Art B1
11. August 2010
Anmelder: National Institute for Materials Science 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1642997
- Aktenzeichen
- EP04729286
- Anmeldetag
- 23. April 2004
- Veröffentlichung
- 11. August 2010
- Erteilung
- 11. August 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C23C14/08C23C14/34
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- National Institute for Materials Science
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National Institute for Materials Science
Japanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Tsukuba, das auf Materialwissenschaft und Werkstoffforschung spezialisiert ist.
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Vertreten von
Calamita, Roberto
London, Großbritannien
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5
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