MOCVD Verfahren zum Bilden von Keimschichten für die Herstellung ferroelekrischer Schichten auf Gateoxiden hoher Dielektizitätkonstanten

EP1643000 Art A1 5. April 2006

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha, SHARP KABUSHIKI KAISHA 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1643000
Aktenzeichen: EP06000295
Anmeldetag: 7. November 2002
Veröffentlichung: 5. April 2006
Rechtsraum: EP
IPC: C23C16/00H01L21/28

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Sharp Kabushiki Kaisha
SHARP KABUSHIKI KAISHA
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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