Verfahren zur Herstellung von vertikalen Bipolartransistoren und Halbleiterbaustein mit vertikalen Bipolartransistoren
EP1643549
Art B8
6. März 2019
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1643549
- Aktenzeichen
- EP04023345
- Anmeldetag
- 30. September 2004
- Veröffentlichung
- 6. März 2019
- Erteilung
- 6. März 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8222H01L27/082H01L29/08H01L21/331H01L27/02H01L29/73H01L29/732H01L21/84H01L27/12H01L21/8249
Abstract
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Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Fachgebiete
Kanzlei
Schoppe, Zimmermann, Stöckeler
München, Deutschland
Schoppe, Zimmermann, Stöckeler, Zinkler, Schenk & Partner mbB berät von München aus Unternehmen und Forschungseinrichtungen aus aller Welt, mit technischem Schwerpunkt auf Audio- und Videokodierung, Mobilfunk, künstlicher Intelligenz und Halbleitertechnik.
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