Verfahren zum Anisotropen Ätzen einer Ausnehmung in ein Siliziumsubstrat und Verwendung einer Plasmaätzanlage
EP1644954
Art B1
8. Mai 2013
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1644954
- Aktenzeichen
- EP04766096
- Anmeldetag
- 29. Juni 2004
- Veröffentlichung
- 8. Mai 2013
- Erteilung
- 8. Mai 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/3065H01J37/32
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Kindermann, Peter
Baldham, Deutschland
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