Hochdichte Speicherung von Erregtem Positronium durch Verwendung Photonischer Bandabstand-Fallen
EP1652194
Art B1
1. September 2010
Anmelder: RAYTHEON COMPANY 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1652194
- Aktenzeichen
- EP04756788
- Anmeldetag
- 9. Juli 2004
- Veröffentlichung
- 1. September 2010
- Erteilung
- 1. September 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G21K1/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- RAYTHEON COMPANY
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Raytheon Company
US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.
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Jackson, Richard Eric
London, Großbritannien
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