Verfahren zur Bildung Deuterierter Siliciumoxynitrid-Haltiger Materialien
EP1652223
Art B1
19. September 2012
Anmelder: Micron Technology, Inc., MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1652223
- Aktenzeichen
- EP04777378
- Anmeldetag
- 30. Juni 2004
- Veröffentlichung
- 19. September 2012
- Erteilung
- 19. September 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/314H01L21/336H01L21/28H01L21/8242// C23C16/30C23C16/34H01L21/318
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Micron Technology, Inc.
MICRON TECHNOLOGY, INC. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
3.194 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Hackett, Sean James
Birmingham, Großbritannien
646
Patente gesamt
33
Fachgebiete
22
Anmelder-Länder
Schwerpunkte